講演情報
[24p-52A-9]SiC基板上SiドープAlN SBDの電流輸送機構と障壁高さの温度依存性
〇棟方 晟啓1、廣木 正伸2、熊倉 一英2、谷保 芳孝2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大工、2.NTT物性科学基礎研)
キーワード：
窒化アルミニウム,障壁高さ,ショットキーバリアダイオード
SiC基板上SiドープAlN SBDについて、温度を変えながら電流-電圧(I-V)特性と(C-V)特性を測定した。C-V測定において適切な周波数を選ぶことで障壁高さが温度上昇とともに減少する傾向が見られた。I-V測定においては障壁高さの減少を確認するには至らなかったものの良好な理想因子が得られ、熱電子放出による輸送が支配的であると考えられる。