セッション詳細

[24p-71B-1~8]スピントロニクス実用技術:トンネル磁気抵抗研究とメモリ応用の最前線

2024年3月24日(日) 13:30 〜 17:25
71B (7号館)
野崎 友大(産総研)、 海住 英生(慶応大)

[24p-71B-1]オープニング

〇野崎 友大1 (1.産総研)

[24p-71B-2]MgO系磁気トンネル接合の基礎と応⽤

〇湯浅 新治1、野﨑 隆行1、山本 竜也1、野崎 友大1、日比野 有岐1、中山 裕康1、一ノ瀬 智浩1、常木 澄人1、谷口 知大1、薬師寺 啓1、久保田 均1 (1.産総研)

[24p-71B-3]巨大室温トンネル磁気抵抗比631%の観測

〇介川 裕章1、Scheike Thomas1、Wen Zhenchao1、三谷 誠司1 (1.NIMS)

[24p-71B-4]計算・データ科学を用いたトンネル磁気抵抗素子材料の開発

〇水上 成美1,2、廣畑 貴文2、白井 正文3,2 (1.東北大・材料高等研、2.東北大・先端スピン研、3.東北大・通研)

[24p-71B-5]MRAMセルの高性能化プロセス技術

〇池田 正二1,2、本庄 弘明1、遠藤 哲郎1,2,3,4 (1.東北大CIES、2.東北大CSIS、3.東北大工、4.東北大RIEC)

[24p-71B-6]スピン軌道トルク型磁気メモリの量産上の技術課題

〇中田 勝之1、佐々木 智生1 (1.TDK(株))

[24p-71B-7]MCU向け混載MRAM IP開発の動向

〇斉藤 朋也1 (1.ルネサスエレクトロニクス)

[24p-71B-8]大容量STT-MRAM 向け14nmφ積層記憶層MTJ 技術

〇都甲 大1、杉山 英行1、鎌田 親義1、板井 翔吾1、高嶋 梨菜1、小池 剛央1、中山 昌彦1 (1.キオクシア株式会社)