講演情報
[24p-71B-2]MgO系磁気トンネル接合の基礎と応⽤
〇湯浅 新治1、野﨑 隆行1、山本 竜也1、野崎 友大1、日比野 有岐1、中山 裕康1、一ノ瀬 智浩1、常木 澄人1、谷口 知大1、薬師寺 啓1、久保田 均1 (1.産総研)
キーワード：
スピントロニクス,磁気トンネル接合,磁気抵抗効果
本講演では，MgO系磁気トンネル接合(MTJ)の基礎と応用を概説するとともに，MTJを用いた次世代不揮発性メモリとして期待される電圧駆動MRAM（VC-MRAM）およびスピン軌道トルクMRAM（SOT-MRAM）の最近の進展を紹介する．