講演情報
[24p-71B-5]MRAMセルの高性能化プロセス技術
〇池田 正二1,2、本庄 弘明1、遠藤 哲郎1,2,3,4 (1.東北大CIES、2.東北大CSIS、3.東北大工、4.東北大RIEC)
キーワード：
MRAM
現在，ファウンドリにおいて 22/28nmのCMOS世代でのeFlash代替の埋込STT-MRAMが界面垂直磁気異方性を利用したSTT-MRAMセル技術を用い量産化され，そのMRAMを活用したアプリケーション(スマートウォッチやIoTマイコン等)の市場が立ち上がってきている．さらに，より微細な14/16nm世代でのSRAM代替や車載向けeFlash代替の研究開発がファウンドリ等において進められている．今後、MRAM技術をより先端のXnm CMOS世代に取込んでいくためには，CMOSの配線層のデザインルールのスケーリングに合うようにMRAMセルサイズを微細化しつつ，各種応用の仕様を満足させ，かつ，BEOLでの400℃熱耐性を確保していく必要がある．本講演では，MRAMの高性能化に向けた，STT-MRAMと SOT-MRAMのセル技術の開発事例について紹介する．