[24p-71B-1~8] スピントロニクス実用技術：トンネル磁気抵抗研究とメモリ応用の最前線

16:55 〜 17:25

[24p-71B-8] 大容量STT-MRAM 向け14nmφ積層記憶層MTJ 技術

〇都甲 大¹、杉山 英行¹、鎌田 親義¹、板井 翔吾¹、高嶋 梨菜¹、小池 剛央¹、中山 昌彦¹ (1.キオクシア株式会社)

キーワード：

磁気メモリ,大容量,ストレージクラスメモリ

高速且つ高いEndurance特性を備えるMRAMはメインメモリとストレージの性能ギャップを埋めるストレージクラスメモリ(SCM)の有力な候補として近年注目されている。本講演では、大容量STT-MRAMの実現に向けて高い不揮発性と高速性を備えたMTJ(AccelHR-MTJ:Accelerated STT-Switching and High-Retention MTJ)技術について14nm素子の試作結果を中心に詳報する。