講演情報
[24p-P07-4]主成分分析を用いたInGaAs-HEMTの微視的物性解析への応用
〇(B)志賀 研仁1、谷脇 三千輝2、長岡 竜之輔2、渡邊 一世3、小嗣 真人2、吹留 博一1 (1.東北大、2.東京理科大、3.情報通信研究機構)
キーワード:
半導体,InGaAs-HEMT,インフォマティクス
我々はデバイス動作時の微視的な物性変調の特徴を性能解析に活かすことを目的とした研究を行っている。デバイスシミュレータを用いてInGaAs-HEMT内部の物性データを取得し、主成分分析を行うことで、性能解析に繋がることを示唆するデータを得ることができた。