[24p-P09-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[24p-P09-4] プラズマ支援反応性パルスDCスパッタリングを用いたa-IGZO薄膜の特性制御

〇竹中 弘祐¹、上田 拓海¹、都甲 将¹、江部 明憲²、節原 裕一¹ (1.阪大接合研、2.イー・エム・ディー)

キーワード：

酸化物半導体,IGZO