[24p-P11-1~2] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[24p-P11-2] IV族半導体材料の熱酸化プロセスにおける
酸化膜厚の温度依存性への反応性力場分子動力学解析

〇(M1)関口 賢太^1,2、上根 直也²、大堀 大介²、遠藤 和彦²、徳増 崇² (1.東北大院工、2.東北大流体研)

キーワード：

IV族半導体材料,反応性力場分子動力学法,酸化