セッション詳細
[24p-P11-1~2]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2024年3月24日(日) 16:00 〜 18:00
P11 (9号館)
[24p-P11-1]X 線照射された SiO2 膜の電気伝導機構
〇(M2)村田 周平1,2、野平 博司1、小林 大輔2、廣瀬 和之2 (1.東京都市大院、2.宇宙研)
[24p-P11-2]IV族半導体材料の熱酸化プロセスにおける
酸化膜厚の温度依存性への反応性力場分子動力学解析
〇(M1)関口 賢太1,2、上根 直也2、大堀 大介2、遠藤 和彦2、徳増 崇2 (1.東北大院工、2.東北大流体研)