[24p-P12-1~3] 13.3 絶縁膜技術

[24p-P12-3] SiN_x膜とSiO_x膜中のイオン・分子のサイト間移動の活性化エネルギー

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：

耐湿性,シリコン窒化膜,分子軌道計算

保護膜の耐湿性劣化へのイオンの影響を分析するため、SiN_ｘ膜、SiO_ｘ膜中でのイオンと分子移動に着目して、格子間・空孔間移動（ジャンプ）を活性化エネルギーの観点で分析した。