セッション詳細
[24p-P15-1~10]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2024年3月24日(日) 16:00 〜 18:00
P15 (9号館)
[24p-P15-1]単一ペロブスカイト量子ドットの電気伝導特性
〇(B)高橋 央輔1、大塚 朋廣2,3、柴田 憲治1 (1.東北工大、2.東北大通研、3.理研CEMS)
[24p-P15-2]MH加熱法によるCuInS₂/ZnS量子ドットの発光特性評価
〇森田 希望1、邢 健輝1、山本 伸一1、岡本 彬仁2 (1.龍谷大先端理工、2.阪大院工)
[24p-P15-3]マイクロLEDを用いた量子ドットの発光特性評価マイクロLEDを用いた量子ドットの発光特性評価
〇深尾 雄也1、岡本 彬仁2、前島 邦光3、Kumar Vikrant4、Durnan Oliver4、Ioaniss Kymissis4、山本 伸一1,4 (1.龍谷大先端理工、2.阪大院工、3.電子科学、4.コロンビア大学)
[24p-P15-4]Cu-In-S2/ZnS-QDsとAg-In-S2/ZnS-QDsの発光特性評価
〇ケイ 健輝1、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工)
[24p-P15-5]Si(111)基板上への高密度InAsSb/InAsコアシェルナノワイヤーの成長
〇渡部 陸太1、中川 竜輔1、宮下 直也1、山口 浩一1 (1.電通大基盤理工)
[24p-P15-6]Spin optics in SML InAs/GaAs nanostructures by circularly-polarized PL
〇(P)Ronel Intal Roca1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota Tech. Inst.)
[24p-P15-7]機能的な共ドープSiナノトランジスタにおけるSOI薄膜の解析
〇(M1)浅井 玲音1、増井 駿1、宮川 翔悟2、アルファファ ダリス1,2、ダニエル モラル1,2 (1.静大院工、2.静大電研)
[24p-P15-8]pnトンネルダイオードのための共ドープ超薄膜SOI絶縁体層の解析
〇(M1)増井 駿1,2、浅井 玲音1,2、Rianto Baskoro Arif1,2、佐々木 裕太郎1,2、モラル ダニエル1,2 (1.静大院工、2.静大電研)
[24p-P15-9]Effect of Substrate Voltage on Band-to-Band Tunneling of Nanowire Esaki Diodes
〇(M1)Baskoro Arif Rianto1,2, Shun Masui1,2, Daris Alfafa3,4, Daniel Moraru1,2,3 (1.Shizuoka Univ., 2.Graduate School of Integrated Science and Technology, 3.Research Institute of Electronics, 4.Graduate School of Science and Technology)
[24p-P15-10]InAs/InAsSb面内超高密度量子ドット層の光伝導特性
〇大山 琢未1、荒尾 光哉1、宮下 直也1、山口 浩一1 (1.電通大基盤理工)