[24p-P15-1~10] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[24p-P15-5] Si(111)基板上への高密度InAsSb/InAsコアシェルナノワイヤーの成長

〇渡部 陸太¹、中川 竜輔¹、宮下 直也¹、山口 浩一¹ (1.電通大基盤理工)

キーワード：

MBE,ナノワイヤ

半導体ナノワイヤー(NW)は、次世代の様々な光電子デバイスへの応用が期待されており、NWのサイズ制御、高密度化、縦型ヘテロ構造、コアシェル構造、配列制御などの作製技術の開発が重要な課題である。最近我々は、Si(111)基板上への高密度・高均一のInAs量子NWsの成長技術を開発した。本研究では、Si(111)基板上への高密度InAs/InAsSb系コアシェルNW構造のMBE成長を試み、その成長プロセスと発光特性について検討したので報告する。