講演情報

[24p-P15-7]機能的な共ドープSiナノトランジスタにおけるSOI薄膜の解析

〇(M1)浅井玲音¹、増井駿¹、宮川翔悟²、アルファファダリス^1,2、ダニエルモラル^1,2 (1.静大院工、2.静大電研)

半導体,トランジスタ,量子ドット

高濃度で共ドープされたSOI-FETsに対しBドーピングが及ぼす影響を分析しました。今後はより高い収率で単一電子トンネリングを動作させるためにホウ素の影響を向上させる必要があります。