講演情報
[24p-P15-8]pnトンネルダイオードのための共ドープ超薄膜SOI絶縁体層の解析
〇(M1)増井 駿1,2、浅井 玲音1,2、Rianto Baskoro Arif1,2、佐々木 裕太郎1,2、モラル ダニエル1,2 (1.静大院工、2.静大電研)
キーワード：
ナノデバイス,BTBT
BTBTによる電子輸送は、高濃度にドープされたpnダイオード（トンネルダイオード）で確認することができる。低温条件下（8.3K）の電流電圧特性評価によって空乏層内のエネルギー準位を介したBTBTによるNDCピークを観測し、これはPとBのランダムな分布による量子ドット（QDs）によるものと考えられる。添加過程において拡散距離の影響から不純物分布に偏りが生じている可能性がある。これに対し深さ方向の不純物添加濃度の調査を行った。