[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-11] 溶液を用いた β-Ga2O3(-201)上への NiO 薄膜作製における合成条件の影響

〇(M1)山脇 聡真¹、岡田 有史¹ (1.京工繊大工芸)

キーワード：

酸化ガリウム,ゾルゲル法,作製条件

β-Ga₂O₃(-201)上にNiOによるヘテロ構造を作製するためゾルゲル法の条件を検討した。大まかな最適化にはシリカガラス基板を用いた。前駆体は酢酸ニッケルと酢酸リチウムとし、粘性の異なるいくつかの溶媒に溶解させた。これを基板にスピンコートし段階的な加熱を行った。このうち、熱処理の順序を組み替えることで膜質の劇的な向上が見られた。試料についてはモルフォロジーの観察とX線光電子分光による観察を行った。