[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-14] RFマグネトロンスパッタ法で作製したSnO₂:N薄膜のバルク内酸素空孔低減およびバルク内組成の評価

〇(M2)川口 拓真¹、大石 竜嗣²、清水 麻希²、土方 泰斗²、相川 慎也¹ (1.工学院大工、2.埼玉大工)

キーワード：

酸化物半導体,窒素ドープ,窒素雰囲気下スパッタリング