[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-19] TiドープZnO薄膜のアニーリングによる透明導電性の改善

〇(M1)宇津 直哉¹、鷹野 一朗² (1.工学院大院、2.工学院大工)

キーワード：

透明導電膜,酸化亜鉛,チタン

現在、透明導電膜の多くはITOであり、希少金属のInが含まれていることから、代替物質の研究が盛んである。本研究では、反応性スパッタリング法により、ZnOにTiをドープし薄膜を作製した。TiドープZnO薄膜は室温で形成し、アニーリングによって全ての薄膜は、透過率がZnOよりも5ポイント上昇し85％になった。抵抗率は、Tiドープ3.1at.%において、2.82×10^-2Ωcmを得ることができた。