[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-22] フレキシブルPET基板上GZO薄膜の光導電特性の評価

〇(M1)増田 哲也¹、松岡 優輝¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大工)

キーワード：

透明導電膜,酸化物半導体

II-VI族化合物半導体である酸化亜鉛(ZnO)はキャリア密度が高く、高い導電性を持つ。また、直接遷移型の半導体材料であり、3.37eVと広いバンドギャップを持つため紫外光を吸収する。そのため、取り扱いが容易な光導電型のUV 検出器としての応用が期待される。また、ZnOにGaを添加したGZOは Ga添加効果による薄膜のキャリア制御が可能となる。今回の発表では、プフレキシブルPET基板上に堆積したGZO薄膜の光導電特性を評価した結果を報告する。