[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-34] KrFエキシマレーザーによるITO薄膜のアニール処理

〇(B)佐藤 舞起¹、薮田 久人^1,2、田中 洋平²、片山 慶太¹、岩本 知広⁴、妹川 要³、三浦 泰祐³ (1.九大工、2.九大ギガフォトンNext GLP共同研究部門、3.ギガフォトン(株)、4.茨城大工)

キーワード：

酸化インジウムスズ,KrFエキシマレーザー,レーザーアニール

透明導電膜として広く利用されているITO薄膜は、性能を向上させるため電気炉等でアニール処理することでアモルファス状態から結晶化させる。本研究では、下地層や基板への熱影響を抑えるために高繰り返し照射が可能なKrFエキシマレーザーを用いてアニール処理を行った。実験の結果、多数照射による薄膜の結晶化に成功した。尚、電気特性等については学会当日発表予定である。