講演情報
[24p-P16-35]ミストCVD成長した非晶質Ga2O3薄膜のアニール処理による結晶構造の変化と深紫外線応答特性
〇(M1)宮嵜 愛実1、山崎 伊織1、田中 悠馬1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)
キーワード：
酸化ガリウム,ミストCVD,光検出器
Ga2O3は5.0 eV前後のバンドギャップをもち，深紫外光検出器の候補材料として注目されている．本研究ではミストCVD法によってc面サファイア基板上に成長した非晶質Ga2O3薄膜と，同薄膜にアニール処理を行なった薄膜について，その物性と深紫外線応答の評価を行った結果を報告する．