[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-38] ZnOナノ粒子へのGa熱拡散における欠陥の影響

〇(M1C)鬼塚 健大¹、吉田 俊幸¹、藤田 恭久¹ (1.島根大学院自然科学)

キーワード：

酸化亜鉛,熱処理,粒子層

半導体薄膜の代わりに半導体微粒子層を用いると基板選択肢の拡大、低コスト化などの有利な点があり注目を集めている。更にZnOを用いると安価で安全に作製できる。このZnOナノ粒子層においてシート抵抗値が極めて高いことが問題となっている。そこでGaによる熱拡散が行われている。本発表ではGa熱拡散時のガス雰囲気の影響の検討を行った。結果として欠陥の種類がGa熱拡散処理へ影響を及ぼす可能性が示唆された。