講演情報
[24p-P16-4]ルチル型GeO2薄膜の作製における圧力と温度の影響
〇西山 史桂1、猪俣 崇1、泉 宏和2 (1.稀産金属、2.兵庫県立工業技術センター)
キーワード：
ルチル型GeO2
本研究では、各種ドープ系ルチル型GeO2薄膜の開発を目的として、これらをエピタキシャル成長させるためのシード層となるルチル型GeO2薄膜の成膜条件の探索を行った。成膜はパルスレーザー堆積法、基板はc面, m面, r面サファイアを用いた。実験の結果、各面方位のサファイア基板上にルチル型GeO2薄膜を作製することに成功した。