講演情報
[24p-P16-7]ミストCVD法によるα-Ga2O3のリモートヘテロエピタキシー
〇(M1C)神田 将熙1、金子 健太郎2、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工、2.立命館大総研)
キーワード:
リモートエピタキシー,酸化ガリウム,グラフェン
本研究では、パワー半導体材料として注目されているα-Ga2O3薄膜をリモートエピタキシー法を用いて基板から剥離することを目指し、c-sapphire基板上にグラフェンを転写し、ミストCVD法にてα-Ga2O3を成長させた。成長パラメータの最適化により、酸素流量を抑制することがα-Ga2O3平坦薄膜の効果的な成長に寄与することが示された。