講演情報
[24p-P16-8]RFスパッタリング法による単結晶NdGaO3 (001) 基板上へのZnO (1120) 薄膜の作製におけるバッファ層の作製条件の検討
〇(B)乙黒 亮1、川崎 浩司1、佐久間 実緒1、鈴木 順1、今井 裕司1、阿部 貴美2、柏葉 安兵衛2、長田 洋2、柏葉 安宏1 (1.仙台高専、2.岩手大理工)
キーワード：
ZnO,バッファ層,RFスパッタリング
RFスパッタリング法を用いたNdGaO3 (001) 基板上へのZnO (1120) 薄膜の作製におけるバッファ層の作製条件を検討した。X線回折測定結果から，RFスパッタリングにおける熱エネルギーがZnO (1120) 薄膜の作製に重要であることが確認された。