講演情報
[25a-12J-10]ランダムポテンシャルがサブスレッショルド特性に与える影響
〇森 伸也1 (1.阪大院工)
キーワード：
半導体,MOSFET,サブスレッショルド特性
サブスレッショルド係数が，極低温において飽和する現象が観測されている．それを説明するモデルの一つに，2次元電子ガスの状態密度に指数関数型のテールを仮定するモデルがある．一方，バルク半導体において，ランダムポテンシャルが指数関数的なテール状態を導くことが示されている．本研究では，ランダムポテンシャルが2次元電子状態に与える影響を調べた．