セッション詳細
[25a-12J-1~11]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2024年3月25日(月) 9:00 〜 12:00
12J (1号館)
蓮沼 隆(筑波大)、 田中 一(阪大)
[25a-12J-1]有機溶媒を用いた狭スペースローディングの改善メカニズム
〇吉田 祐希1、中野 雄大2、Kumari Sangita3、Hu Shan3、D’elia Peter3 (1.TEL九州、2.TELテクノロジーソリューションズ、3.TELテクノロジーセンターアメリカ)
[25a-12J-3]実験室系HAXPESを用いた電圧印加オペランド測定による異なる不純物濃度基板を用いたMOS構造の評価
〇箕輪 卓哉1、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL)
[25a-12J-4]Influence of HfN0.5 gate electrode thickness on the ferroelectric characteristics of hafnium nitride formed on Si(100)
〇KANGBAI LI1, Ide Akinori1, Hamada Kaimu1, Sekiguchi Yuki1, Ohmi Shun-ichiro1 (1.Tokyo Inst.)
[25a-12J-7]非平衡グリーン関数法によるナノシート構造デバイスシミュレーション
〇大倉 康幸1、小田 嘉則1、小瀬村 大亮1、原田 昌紀1、小池 秀耀1 (1.アドバンスソフト(株))