セッション詳細

[25a-12J-1~11]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2024年3月25日(月) 9:00 〜 12:00
12J (1号館)
蓮沼 隆(筑波大)、 田中 一(阪大)

[25a-12J-1]有機溶媒を用いた狭スペースローディングの改善メカニズム

〇吉田 祐希1、中野 雄大2、Kumari Sangita3、Hu Shan3、D’elia Peter3 (1.TEL九州、2.TELテクノロジーソリューションズ、3.TELテクノロジーセンターアメリカ)

[25a-12J-2]フッ化物イオンによる二酸化ケイ素エッチングの反応性分子動力学解析

〇(B)後藤 星南1,2、上根 直也2、徳増 崇2 (1.東北大工、2.東北大流体研)

[25a-12J-3]実験室系HAXPESを用いた電圧印加オペランド測定による異なる不純物濃度基板を用いたMOS構造の評価

〇箕輪 卓哉1、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL)

[25a-12J-4]Influence of HfN0.5 gate electrode thickness on the ferroelectric characteristics of hafnium nitride formed on Si(100)

〇KANGBAI LI1, Ide Akinori1, Hamada Kaimu1, Sekiguchi Yuki1, Ohmi Shun-ichiro1 (1.Tokyo Inst.)

[25a-12J-5]InPコア/シェル量子ドットの電子構造に歪みが与える影響

〇Lim JIN HYONG1、森 伸也1 (1.阪大院工)

[25a-12J-6]自立Siナノシートにおける電子―変調音響フォノン相互作用の初期検討

〇服部 淳一1、福田 浩一1 (1.産総研)

[25a-12J-7]非平衡グリーン関数法によるナノシート構造デバイスシミュレーション

〇大倉 康幸1、小田 嘉則1、小瀬村 大亮1、原田 昌紀1、小池 秀耀1 (1.アドバンスソフト(株))

[25a-12J-8]矩形断面半導体ナノシートにおける電子移動度の数値解析

〇岡田 丈1、森 伸也1 (1.大阪大学)

[25a-12J-9]二次元電子ガス電子輸送セルオートマトン法経時解析の初期状態について

〇福田 浩一1、服部 淳一1 (1.産総研)

[25a-12J-10]ランダムポテンシャルがサブスレッショルド特性に与える影響

〇森 伸也1 (1.阪大院工)

[25a-12J-11]半導体デバイスシミュレーションのための量子コンピューティングアルゴリズムの応用に関する検討

〇相馬 聡文1、石橋 拓也1 (1.神戸大院工)