[25a-12J-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

9:15 〜 9:30

[25a-12J-2] フッ化物イオンによる二酸化ケイ素エッチングの反応性分子動力学解析

〇(B)後藤 星南^1,2、上根 直也²、徳増 崇² (1.東北大工、2.東北大流体研)

キーワード：

半導体,エッチング