講演情報
[25a-12K-3]AlGaAs/GaAs超格子中の電流−電圧特性と散乱時間
〇前田 凪1、朱 翔宇1、長井 奈緒美1、ベスコン マーク2、黒山 和幸1、平川 一彦1 (1.東大生研・ナノ量子機構、2.マルセイユ大IN2MP)
キーワード：
超格子,ブロッホ振動
THz帯域へのアプローチの一つとして、EsakiとTsuにより半導体超格子中の電子のブロッホ振動を利用した発振器が提案されて５０年以上経過したが、ブロッホ利得が発生する微分負性抵抗領域での高電界ドメインによりブロッホ発振器は未だに実現されていない。本講演では、ドープした半導体超格子の電流−電圧（I-V）特性から、超格子中の電子散乱時間などを解析し、高電界ドメインの発生の問題を検討する。