講演情報
[25a-12K-9]Si/CaF2 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化型メモリの電荷保持特性
〇(M2)星野 麻衣子1、宇佐見 遼也1、村上 寛太1、塩路 冬弥1、渡辺 正裕1 (1.東工大工)
キーワード：
ReRAM,共鳴トンネルダイオード(RTD),量子井戸
Si/CaF2ヘテロ構造はSi基板上に積層エピタキシャル成長が可能であり，室温においてもON/OFF比の大きな共鳴トンネル系集積デバイスの構成材料として有望である．我々は，サブバンド間遷移によるSi量子井戸への電荷蓄積を原理とするCaF2/Si/CaF2/Si/CaF2/Si/CaF2四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化型メモリを提案し，基本的なメモリ動作の実証やパルスによる繰り返し応答特性の評価を行ってきた．講演では，この抵抗スイッチング素子の電荷保持特性および温度特性について議論する．