[25a-1BJ-1~10] CS.6 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

9:00 〜 9:15

[25a-1BJ-1] [第55回講演奨励賞受賞記念講演] 強誘電/常誘電界面電荷制御によるHfO₂-FeFETの低電圧ディスターブ抑制

〇浜井 貴将¹、鈴木 都文¹、市原 玲華¹、吉村 瑶子¹、佐久間 究¹、松尾 和展¹、藤井 章輔¹、齋藤 真澄¹ (1.キオクシア)

キーワード：

強誘電トランジスタ,不揮発メモリ

次世代高速メモリとして注目を集めるHfO2系強誘電膜とSiチャネルを用いたFeFETでは、強誘電層と界面SiO2層の間にトラップされる電荷がサイクル耐性やメモリウィンドウに強く影響する。本研究では界面トラップ電荷の揮発成分が内部電界の変調を通して分極反転の過渡的な挙動に影響することを明らかにした。さらに界面電荷の放電を促進する動作手法を提案し、メモリアレイで深刻な問題となるディスターブ（誤書込）耐性を4桁以上改善した。