講演情報
[25a-1BJ-4]HfO2系強誘電体キャパシタの下部電極オゾン酸化による
絶縁破壊寿命の向上
〇(D)糸矢 祐喜1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、小林 正治1,2 (1.東大生産研、2.東大 d. lab)
キーワード：
強誘電体,酸化物デバイス
HfO2系強誘電体メモリデバイスの耐久性の向上に向け、電極材料と強誘電特性の関係が調べられている。本研究ではTiN電極表面を原子層堆積チャンバー内で酸化した後に強誘電体膜を成膜した。そして、ワイブルプロットにより絶縁破壊寿命が向上することを示した。さらに、X線回折から結晶配向の変化を示した。一方、Ｘ線光電子分光から内部の酸素欠陥密度に大きな変化がないことを示した。