講演情報
[25a-1BJ-6]機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大現象とその起源の考察
〇井上 辰哉1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)
キーワード：
強誘電体
我々は前回の応物学会にて，HfO2薄膜に4点曲げによって機械的な曲げ変形を与えて直接的に引張歪みを印加しながら分極反転させることで残留分極値(Psw)が増大し，引張歪み解放後に元のPswに戻る緩和現象を報告した。今回は，HfO2薄膜の膜厚と歪みによる効果の関係について調べた結果と引張歪みを印加しながら行った X 線回折(XRD)解析を基に，引張歪みによるPswの増大の起源について考察した。