[25a-1BJ-1~10] CS.6 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

11:00 〜 11:15

[25a-1BJ-9] Hf-Zr-O強誘電体薄膜の誘電応答解析

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、浅沼 周太郎¹、森田 行則¹ (1.産総研)

キーワード：

強誘電体,誘電応答解析,HfO2

HfO₂系強誘電体は最先端のロジック・メモリ回路に融合することで、高機能かつ省エネルギーな次世代情報処理システムの実現に貢献すると期待されている。前回我々はHf_0.5Zr_0.5O₂ 強誘電体薄膜のC-V測定において、微小交流信号の大きさに依存した比誘電率の変化量が、PZTの場合に比べて小さいことを報告し、分極ドメインのロバスト性という解釈を展開した。今回本研究ではこの系の静電容量の周波数依存性がPZTに比べて非常に小さいことを紹介する。