[25a-21C-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:30 〜 11:45

[25a-21C-10] 後窒化型スパッタ装置を用いたGaN薄膜の評価

〇依田 文徳¹、藤田 篤史¹、瀧澤 洋次¹、松中 繁樹¹、西村 政哉²、鈴木 敦志²、上山 智³ (1.芝浦メカトロニクス、2.E&E Evolution、3.名城大)

キーワード：

窒化ガリウム,スパッタリング