[25a-21C-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30

[25a-21C-2] r 面サファイア基板上にリモートエピタキシーした極薄膜a 面 GaN 層を用いた InGaN の逆臨界膜厚エピタキシー過程の観察

〇横井 稜也¹、長村 皓平¹、柳瀬 優太¹、丸山 隆浩¹、成塚 重弥¹ (1.名城大理工)

キーワード：

窒化ガリウム,グラフェン,InGaN