[25a-21C-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:15 〜 11:30

[25a-21C-9] パルススパッタ堆積法によるグラフェン/4H-SiC基板上の窒化物薄膜成長

〇(M1)全 民宰¹、上野 耕平¹、潘 テン²、竹本 圭佑²、江森 健太²、藤岡 洋¹ (1.東大生研、2.日産自動車)

キーワード：

窒化物成長,パルススパッタ堆積法,二次元物質