2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25a-52A-1~9]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年3月25日(月) 9:00 〜 11:30
52A (5号館)
佐藤 威友(北大)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[25a-52A-1]Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果

〇角田 健輔1、片岡 恵太3、成田 哲生3、堀田 昌宏1,2、加地 徹1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)
9:15 〜 9:30

[25a-52A-2]MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム

〇狩野 絵美1、埋橋 淳2、小林 功季1、石川 晃輔1、澤部 恭佑1、成田 哲生3、Sierakowski Kacper4、Bockowski Michal4,1、大久保 忠勝2、加地 徹1、五十嵐 信行1 (1.名古屋大、2.NIMS、3.豊田中研、4.IHPP PAS)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[25a-52A-3]Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード

〇北川 和輝1、Maciej Matys2、上杉 勉2、加地 徹2、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー英語発表

[25a-52A-4]The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature

〇(D)Muhammad Sofyan Habibi1, Chin-Han Chung1, Yi-En Chang Chien1, Cheng-Jun Ma1, Chih-Yi Yang1, You-Chen Weng1, Sheng-Shiuan Yeh1, Edward-Yi Chang1 (1.National Yang Ming Chiao Tung Univ.)
10:00 〜 10:15

[25a-52A-5]SPICEシミュレーションを用いた縦型GaN MOSFETの損失解析と性能予測

〇岡 徹1,2、牛田 泰久1,2、米澤 遊1 (1.名大未来研、2.豊田合成)
10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[25a-52A-6]ダイヤモンドMOSFETの高電圧(105V) スイッチング動作

〇白土 智基1、サハ ニロイ チャンドラ1、大石 敏之1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工)
10:45 〜 11:00

[25a-52A-7]ワイドギャップ半導体SBDの高周波整流特性

〇大野 泰夫1,2、伊藤 弘子2、平岡 知己2、東脇 正高1,3 (1.大阪公立大院工、2.(株)ﾚｰｻﾞｰｼｽﾃﾑ、3.情通機構)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[25a-52A-8]マイクロ波無線電力伝送応用に向けた高周波Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの構造設計

〇(M1)江口 輝生1、末廣 雄大1、フェレイラ ロムアルド1、大野 泰夫2、東脇 正高1,3 (1.大阪公立大院工、2.レーザーシステム、3.情通機構)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[25a-52A-9]KrFエキシマレーザーによるβ-Ga2O3へのSnドーピング

〇別府 美彩1、田中 洋平2、片山 慶太1、薮田 久人1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)
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