[25a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 | 2024年第71回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25a-52A-1~9]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年3月25日(月) 9:00 〜 11:30

52A (5号館)

佐藤威友(北大)

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[25a-52A-1]Mgイオン注入p-GaNにおけるNイオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果

〇角田健輔¹、片岡恵太³、成田哲生³、堀田昌宏^1,2、加地徹^1,2、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)

9:15 〜 9:30

[25a-52A-2]MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム

〇狩野絵美¹、埋橋淳²、小林功季¹、石川晃輔¹、澤部恭佑¹、成田哲生³、Sierakowski Kacper⁴、Bockowski Michal^4,1、大久保忠勝²、加地徹¹、五十嵐信行¹ (1.名古屋大、2.NIMS、3.豊田中研、4.IHPP PAS)

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[25a-52A-3]Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード

〇北川和輝¹、Maciej Matys²、上杉勉²、加地徹²、堀田昌宏^1,2、須田淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー英語発表

[25a-52A-4]The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature

〇(D)Muhammad Sofyan Habibi¹, Chin-Han Chung¹, Yi-En Chang Chien¹, Cheng-Jun Ma¹, Chih-Yi Yang¹, You-Chen Weng¹, Sheng-Shiuan Yeh¹, Edward-Yi Chang¹ (1.National Yang Ming Chiao Tung Univ.)

10:00 〜 10:15

[25a-52A-5]SPICEシミュレーションを用いた縦型GaN MOSFETの損失解析と性能予測

〇岡徹^1,2、牛田泰久^1,2、米澤遊¹ (1.名大未来研、2.豊田合成)

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[25a-52A-6]ダイヤモンドMOSFETの高電圧(105V) スイッチング動作

〇白土智基¹、サハニロイチャンドラ¹、大石敏之¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大院理工)

10:45 〜 11:00

[25a-52A-7]ワイドギャップ半導体SBDの高周波整流特性

〇大野泰夫^1,2、伊藤弘子²、平岡知己²、東脇正高^1,3 (1.大阪公立大院工、2.(株)ﾚｰｻﾞｰｼｽﾃﾑ、3.情通機構)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[25a-52A-8]マイクロ波無線電力伝送応用に向けた高周波Ga₂O₃ ショットキーバリアダイオードの構造設計

〇(M1)江口輝生¹、末廣雄大¹、フェレイラロムアルド¹、大野泰夫²、東脇正高^1,3 (1.大阪公立大院工、2.レーザーシステム、3.情通機構)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[25a-52A-9]KrFエキシマレーザーによるβ-Ga₂O₃へのSnドーピング

〇別府美彩¹、田中洋平²、片山慶太¹、薮田久人^1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)

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