[25a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[25a-52A-3] Mgチャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオード

〇北川 和輝¹、Maciej Matys²、上杉 勉²、加地 徹²、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

縦型GaNパワーデバイス,ジャンクションバリアショットキーダイオード,超高圧アニール