講演情報
[25a-52A-9]KrFエキシマレーザーによるβ-Ga2O3へのSnドーピング
〇別府 美彩1、田中 洋平2、片山 慶太1、薮田 久人1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)
キーワード：
レーザードーピング,酸化ガリウム
ドーピング技術は半導体デバイス作製の際に電極とのオーミック接触を形成する等の目的で用いられる。本研究ではレーザードーピング法によってβ-Ga2O3へのSnドーピングを試みている。この手法の特徴は、ドーパント注入と同時にドーパント活性化が見込まれることや、基板の極浅領域に高濃度ドーピングが可能なことが挙げられる。本発表ではレーザードーピング法によるβ-Ga2O3へのSnドーピングについて報告する。