[25a-61A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15

[25a-61A-3] ワイドギャップ酸化物半導体材料に対するKrFエキシマレーザー照射プロセスの適用検討

〇薮田 久人^1,2,3、田中 洋平²、片山 慶太^1,3、別府 美彩¹、佐藤 舞起³、石原 昌幸³、岩本 知広⁴、妹川 要⁵、三浦 泰祐⁵ (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP、3.九大工、4.茨城大工、5.ギガフォトン㈱)

キーワード：

エキシマレーザー,レーザーアニール,レーザードーピング

リソグラフィー用の高繰り返し(～4 kHz)照射可能なKrFエキシマレーザーを用いたワイドギャップ酸化物材料への紫外レーザー照射プロセスの検討を開始した。アモルファスITO薄膜のエキシマレーザーアニールによる固相結晶化ではフルエンスや照射パルス数のみならず繰り返し周波数が重要なパラメータであることがわかった。またエキシマレーザー照射によるGa₂O₃エピウエハへのSnドーピングに成功した。