[25a-61A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:15 〜 10:30

[25a-61A-4] 膜厚 30 nm 以下でのガラス基板上 Ga 添加酸化亜鉛薄膜特性

〇(PC)Palani Rajasekaran¹、北見 尚久^1,2、小林 信太郎³、稲葉 克彦³、牧野 久雄¹、山本 哲也¹ (1.高知工科大総研、2.住友重機械（株）、3.（株）リガク)

キーワード：

ZnO,薄膜,電気特性

我々はGa 添加酸化亜鉛（GZO）系透明導電薄膜特性の膜厚 t 依存性を研究している。本研究では反応性プラズマ蒸着法を用い、基板温度 T_s=200℃の下、酸素(O₂)ガス流量 OFR は 5 ～ 25 sccm とした。構造は In-plane X 線回折評価からOFR に関わらずt=10, 20, 30 nmにおいてガラス基板に対しc軸が垂直配向する柱状多結晶構造である。電気特性は強い t 依存性が確認された。特性支配因子を議論する。