[25a-61B-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

9:15 〜 9:30

[25a-61B-1] TiNのトポグラフィカルエッチング

〇高崎 晃一¹、佐竹 真²、三浦 真¹ (1.日立ハイテク、2.日立研開)

キーワード：

エッチング,窒化チタン,トポグラフィカル

イオンとラジカルの両方を照射してRIEを行う機能と、ラジカル等の中性粒子のみを照射して等方性なRadical etchingを行う機能との切り替えが可能なマイクロ波ECR装置を用いて、Cl2系のRadical etchingとRIEの適切な組み合わせにより、トポグラフィカルなTiN選択的エッチングを実現した。