[25a-61B-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

9:30 〜 9:45

[25a-61B-2] 基板昇温下でのGaN選択エッチング

〇中村 昭平^1,2、谷出 敦^1,2、灘原 壮一^1,2、石川 健治²、堀 勝² (1.SCREENホールディングス、2.名古屋大学)

キーワード：

選択的エッチング,窒化ガリウム,高温エッチング

P型ゲートを有するGaN-HEMTの製造において、P型GaNをAlGaNに対して選択エッチングする技術が求められている。先行研究で塩素/酸素プラズマを活用した選択エッチングが報告されているが、AlGaN表面へのダメージ形成が課題であった。本報告では基板昇温下でのプラズマエッチングによりダメージ低減しつつ、選択エッチングを実現する手法について説明する。