講演情報
[25a-71B-1]MOCVD成長によるウエハスケールMoS2 FETの特性評価
〇(D)渥美 圭脩1、李 曙紅1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.NIMS)
キーワード：
MoS2,ウェハスケール,MOCVD
近年，特性ばらつきを抑えた集積化に向け，CVD成長によるウエハスケールでのFET作成が数多く報告されている．ガスソースを用いるMOCVD(Metal-Organic CVD)は，膜均一性の維持とスケールアップの両立が可能であるが，現状，研究グループ及び報告例は少なく，デバイス特性評価まで実施された研究は数えるほどしかない．本発表では，MOCVDによりサファイア基板上に大面積・均一成長された単層MoS2をSi基板に転写し，FETデバイス特性を評価したので報告する．