2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[25a-71B-1~9]17.3 層状物質

2024年3月25日(月) 9:00 〜 11:30
71B (7号館)
青木 伸之(千葉大)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[25a-71B-1]MOCVD成長によるウエハスケールMoS2 FETの特性評価

〇(D)渥美 圭脩1、李 曙紅1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.NIMS)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー英語発表

[25a-71B-2]Why does everyone transfer MoS2 grown on sapphire to a Si substrate?
-Decoupling the interaction between MoS2/sapphire-

〇(D)Li Shuhong1, Keisuke Atsumi1, Tomonori Nishimura1, Kaito Kanahashi1, Yoshiki Sakuma2, Kosuke Nagashio1 (1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[25a-71B-3]反応性スパッタリングで成膜した多層MoS2の光電流生成

〇(P)金 明玉1、岡田 至崇1 (1.東大先端研)
9:45 〜 10:00

[25a-71B-4]遷移金属ダイカルコゲナイドを材料に用いた電界効果トランジスタへの光援用による光応答電流のロックイン検出

〇和泉 廣樹1,2,4、坂下 晃輔2、高岡 毅3、Md. Nasiruddin2、佐藤 碧2、安藤 淳4、米田 忠弘3 (1.北大院工、2.東北大院理、3.東北大多元研、4.産総研)
10:00 〜 10:15

[25a-71B-5]銅ナフタロシアニン分子を吸着したMoS2-FETの光応答

〇高岡 毅1、坂下 晃輔2、和泉 廣樹3、道祖尾 恭之1、Liu Haotian2、Chandra Devsharma Sushen2、安藤 淳4、米田 忠弘1 (1.東北大多元研、2.東北大院理、3.北大院工、4.産総研)
10:30 〜 10:45

[25a-71B-6]p型硫化モリブデンTFTの硫化アニール処理による特性改善

〇李 柯澄1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
10:45 〜 11:00

[25a-71B-7]Al2O3 passivation膜を有するNi/Al2O3/PVD-WS2コンタクト特性

〇(B)寺岡 楓1、今井 慎也1、黒原 啓太1、伊東 壮真1、川那子 高暢1、宗田 伊理也1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.東工大)
11:00 〜 11:15

[25a-71B-8]Bi2Te3層状膜による単層WSe2 pMOSFETの性能向上

〇張 文馨1、畑山 祥吾1、齊藤 雄太1,2、岡田 直也1、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、入沢 寿史1 (1.産総研、2.東北大、3.都立大)
11:15 〜 11:30

[25a-71B-9]WSe2チャネルp型トランジスタ向けNbS2コンタクト形成技術

〇(B)堀 幸妃1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、小椋 厚志2,3、岡田 直也1 (1.産総研、2.明治大、3.明治大MREL)
カテゴリ一覧へ戻る