講演情報
[25a-71B-4]遷移金属ダイカルコゲナイドを材料に用いた電界効果トランジスタへの光援用による光応答電流のロックイン検出
〇和泉 廣樹1,2,4、坂下 晃輔2、高岡 毅3、Md. Nasiruddin2、佐藤 碧2、安藤 淳4、米田 忠弘3 (1.北大院工、2.東北大院理、3.東北大多元研、4.産総研)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド,電界効果トランジスタ
遷移金属ダイカルコゲナイドを材料に用いた電界効果トランジスタは、高感度な分子種認識センサーとして期待される。光援用での分子認識を赤外光領域まで拡張できれば、分子の官能基に由来する振動まで光応答電流として検出できる。赤外光照射で発生する光応答電流は小さく検出が難しいなか、ロックインアンプで光応答電流を増幅する方法を検討した。本発表では、手始めに、紫外可視光援用で光応答電流のロックイン検出に挑戦した。