講演情報
[25a-71B-6]p型硫化モリブデンTFTの硫化アニール処理による特性改善
〇李 柯澄1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
キーワード：
二次元半導体,MoS2,TFT
近年、層状物質の一つであるMoS2が注目を集めている。これらは通常単結晶として扱われているが、当研究では、大面積作製を目的としてスパッタ法で薄膜を作製した。前回では、スパッタで作製したMoS2薄膜がp型の性質を持つ理由を報告した。また酸素化、硫化処理を経て移動度50cm2/Vs以上の移動度を持つ安定したTFTを作製することができた。本報告では、MoS2薄膜をより高性能化するために、さらに詳細を評価し、パターニングを用いて作製した。