講演情報
[25a-P03-1]MBE法を用いたファンデルワールスエピタキシーによる転写可能なInGaN成長
〇(B)南部 利矩1、服部 翔太1、荒木 努1、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工)
キーワード：
窒化物半導体,ファンデルワールスエピタキシー,グラフェン
InGaNは、マイクロLEDディスプレイをはじめとする次世代発光デバイスへの利用が期待されている。本研究では、GaN基板上にグラフェンを転写し、そこにRF-MBE法を用いてInGaN薄膜を成長させた。さらに、成長した薄膜を熱剥離テープを使って任意の基板に転写することに成功した。講演では、転写した薄膜の物性評価の結果も報告する。