セッション詳細

[25a-P03-1~12]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年3月25日(月) 9:30 〜 11:30
P03 (9号館)

[25a-P03-1]MBE法を用いたファンデルワールスエピタキシーによる転写可能なInGaN成長

〇(B)南部 利矩1、服部 翔太1、荒木 努1、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工)

[25a-P03-2]ScAlMgO4基板上InGaN薄膜のTHz-TDSEによる非接触・非破壊電気特性評価(1)
~バックグラウンド誘電率と有効質量の明確化~

〇土田 海渡1、矢倉 藤也1、久保 祐太1、王 丁丁1、藤井 高志1,2、岩本 敏志2、出浦 桃子1、荒木 努1 (1.立命館大、2.日邦プレシジョン)

[25a-P03-3]キラル型InGaNナノピラーアレイの光学活性増強に関する検討

〇浅井 佑太1、相川 健喜2、倉邉 海史2、菊池 昭彦2,3,4、大音 隆男1 (1.山形大院理工、2.上智大理工、3.上智大フォトニクス研、4.上智大半導体研)

[25a-P03-4]マイクロLEDの外部量子効率向上に向けたSiN中間膜の影響

〇鄭 恵貞1,2,3、Park Jeong Hwan3、Pristovsek Markus1、Kown Woong2、天野 浩1,2,3,4 (1.名大未来研、2.名大院工、3.名大D-センター・VBL、4.名大高等研究院)

[25a-P03-5]MOVPE 法によるAlN 上への格子整合系GaN 成長の実現

〇吉川 陽1,2、永富 隆清1、永瀬 和宏1、杉山 聖1、レオ ショワルター2 (1.旭化成、2.名古屋大学)

[25a-P03-6]OVPE-GaN成長における異なるGa酸化剤の変換効率調査

〇中園 翼1、宇佐美 茂佳2、今西 正幸2、隅 智亮3、滝野 淳一3、岡山 芳央3、丸山 美帆子2、吉村 政志4、秦 雅彦5、伊勢村 雅士6、森 勇介2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.パナソニックホールディングス(株)、4.阪大レーザー研、5.伊藤忠プラスチックス(株)、6.(株)創晶應心)

[25a-P03-7]THz-TDSEによるMgイオン注入したGaN単結晶の電気特性評価(III)

〇王 丁丁1、土田 海渡1、藤井 高志1,3、出浦 桃子2、岩本 敏志3、須山 篤志4、川野輪 仁4、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.日邦プレシジョン、4.イオンテクノセンター)

[25a-P03-8]2階段ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの電気伝導特性の陽極酸化電圧依存性

〇李 照北1、神尾 岳1、森田 廉1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)

[25a-P03-9]窒化ガリウム中におけるVGa-VN周りの欠陥反応解析

中村 城太1、〇小田 将人1、寒川 義裕2 (1.和歌山大シス工、2.九大応力研)

[25a-P03-10]窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対するフッ素終端構造とその電子状態に関する研究

〇(B)藤代 裕貴1、屋山 巴1、長田 貴弘2、知京 豊裕2 (1.工学院大、2.NIMS)

[25a-P03-11]ScAlN混晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討:基板拘束の影響

〇宮本 拓翔1、秋山 亨1、河村 貴宏1 (1.三重大院工)

[25a-P03-12]Ohmic contact formation on p-type Mg-doped Al-rich AlGaN/AlN heterostructures grown on AlN substrates

〇Guodong Hao1, Shun Washiyama1, Tomonori Matsushita1, Shin-ichiro Inoue1 (1.NICT)