[25a-P03-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[25a-P03-2] ScAlMgO₄基板上InGaN薄膜のTHz-TDSEによる非接触・非破壊電気特性評価(1)
～バックグラウンド誘電率と有効質量の明確化～

〇土田 海渡¹、矢倉 藤也¹、久保 祐太¹、王 丁丁¹、藤井 高志^1,2、岩本 敏志²、出浦 桃子¹、荒木 努¹ (1.立命館大、2.日邦プレシジョン)

キーワード：

テラヘルツ,InGaN,エリプソメトリ